目前，在全球芯片制造行业，能够进行7nm及以下制程工艺的，就只有台积电和三星两家了，连老牌芯片巨头英特尔，至今也未能突破7nm工艺，可见难度有多么大。
并且从台积电先进制程工艺的用户情况来看，使用7nm的用户居多，再往下5nm用户相对又减少了。原因是制程越低，成本就越高，7nm以下制程大多用户用不起了。
5nm制程目前只有苹果、高通、联发科等大客户在用，未来使用3nm制程的客户将会更少。因此可以预见，7nm将会像现在的28nm一样，成为全球芯片的主流需求。
为此，我们必须在推进28nm及以上芯片产能扩产的同时，还要争取实现国产7nm芯片的突破。这样的话，国产7nm加先进封装技术，华为的高端芯片问题就解决了。
那么，目前我们7nm芯片的进展情况如何呢？新消息传来， 7nm芯片越来越近！
首先，芯片制造技术方面。不得不承认，芯片制造技术很关键。这个从台积电、三星的竞争历程中就可以看出，台积电抓住了两次关键技术节点，实现了对三星超越。
并且两家的芯片制造设备和材料等方面都不受限，但如今台积电的芯片制造技术依然领先三星。要不然为什么三星的芯片良率远低于台积电，连高通最近把单转走了。
由此可见，技术对芯片制造来讲有多么重要。那么，我们7nm技术进展如何呢？
目前，大陆芯片制造技术最先进的当属中芯国际了，也只有它最有可能实现7nm芯片突破。并且中芯国际还有技术大佬梁孟松，短短三年就实现了多个技术节点突破。
据梁孟松介绍，他带领团队实现了28nm到7nm五个世代的技术研发，28nm， 14nm， 12nm， 及n+1等技术均已进入规模量产，重点是7nm技术的开发也已经完成。
之后风险量产，再往后投入生产。后来没有其他官方消息，但技术应该已经掌握。
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其次，芯片制造设备方面。芯片制造离不开设备，像光刻机、蚀刻机、离子注入机等。其中国产5nm蚀刻机已经进入台积电芯片产线，这个之前国外限制，现在也放开了。
现在主要限制的就是EUV光刻机，其他设备不少已经实现国产替代。但据ASML之前表态，DUV光刻机等设备已经不受限制，并且已经跟中芯国际签订了续签采购协议。
再说，国产28nm也就是DUV光刻机也快突破了，到时这方面光刻机国产就能用了。
重点是，利用DUV光刻机也可以做出7nm芯片，这点台积电之前就实现过，EUV之前就用的DUV来生产7nm。并且林本坚前段时间还表示，DUV甚至可以做5nm。
照此说来，即使没有EUV光刻机，也可以做出7nm芯片，这样光刻机也就具备了。
第三，芯片制造材料方面。除了芯片制造设备，芯片材料也很关键，其中最重要的就是光刻胶了。前段时间的氖气紧缺，对于我们来说不是问题，大陆企业就能供应。
光刻胶是芯片材料的最重要的，这个之前一直需要进口。尤其是高端光刻胶，技术突破难度非常大，比如193nm ArF光刻胶，生产7nm及以上制程芯片的关键材料。
不过，中企这方面一直在努力，近日好消息传来。南大光电表示，公司已建成两条ArF光刻胶生产线，合计产能达到25吨。这意味着，生产7nm芯片的光刻胶也解决了。
不仅南大光电，前段时间上海新阳也传出消息，表示公司已经有ArF光刻胶产品。
由此可见，生产7nm芯片的光刻机具备了，需要的高端ArF光刻胶也解决了，中芯国际的7nm芯片技术开发也已完成。这些都说明，我们的国产7nm芯片越来越近了。
当然，这还需要时间，因为要面临解决试产和国外限制等多个问题，但值得期待了！
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